SanDisk Présente une Mémoire Flash à Haute Bande Passante pour Répondre aux Besoins en Mémoire de l'IA

SanDisk, en collaboration avec SK hynix, a lancé un nouveau standard de mémoire connu sous le nom de Flash à Haute Bande Passante (HBF), visant à surmonter l'un des défis les plus pressants de l'infrastructure de l'IA : le besoin d'une mémoire rapide et abordable. Cette technologie innovante combine la mémoire flash NAND avec des techniques d'ingénierie avancées pour offrir des performances qui rivalisent avec celles de la mémoire à haute bande passante traditionnelle (HBM), tout en proposant une capacité de stockage nettement supérieure.

Performance et Capacité

La technologie HBF est conçue pour combler le fossé entre les SSD conventionnels et la HBM, fournissant une solution qui équilibre haute capacité et bande passante substantielle. Dans des simulations, le HBF a atteint des bandes passantes de lecture de 12,8 To/s avec une capacité de 4 To par GPU, ce qui pourrait réduire de manière significative le nombre de GPU nécessaires pour des modèles d'IA complexes. Cette capacité est rapportée comme étant 8 à 16 fois supérieure à celle des offres HBM actuelles, en faisant une alternative économique pour les applications d'IA.

Spécifications Techniques

• Chaque empilement HBF peut supporter jusqu'à 512 Go, avec des capacités de bande passante atteignant jusqu'à 3 To/s lors de l'utilisation de connexions Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe).
• Les performances du HBF sont particulièrement bénéfiques pour les charges de travail d'inférence, où la majorité du traitement de l'IA a lieu, car elles mettent l'accent sur les opérations de lecture.
• La technologie utilise des techniques propriétaires de CMOS directement lié à l'array pour améliorer les performances en minimisant les goulets d'étranglement de routage des signaux.

Collaboration dans l'Industrie et Plans Futurs

SanDisk a formé un consortium avec SK hynix, Google et Tenstorrent pour standardiser la technologie HBF dans le cadre du Open Compute Project. Les premières spécifications techniques ont été publiées en août 2026, avec des échantillons de produits attendus en 2027. Cet effort collaboratif vise à créer un standard ouvert qui pourra être largement adopté dans l'industrie des semi-conducteurs, remodelant potentiellement les schémas d'investissement dans l'infrastructure de l'IA.

Implications pour le Développement de l'IA

L'introduction du HBF est prête à avoir un impact significatif sur le déploiement de grands modèles de langage et d'autres applications d'IA en fournissant une solution de mémoire plus efficace qui réduit les coûts et améliore les performances. À mesure que l'IA continue d'évoluer, la capacité à tirer parti des processus de fabrication NAND existants pour des produits de mémoire haute performance pourrait conduire à des systèmes d'IA plus évolutifs et économiquement viables.